黏晶製程 Die Bonding (COB)
黏晶製程是屬於半導體後段封裝中，重要的一環製程。做法是將晶粒固定在客戶所指定中的載板/材料上，以便進行後續的打線、封膠以及測試..等後續製程。根據所使用的材料種類，又可將黏晶製程分為：(1) 接著劑固晶 Adhesive die bonding、(2) 共晶 Eutectic die bonding、(3) 超音波覆晶 Ultrasonic flip chip bonding
(1) 接著劑固晶 Adhesive die bonding
選擇適當的晶片接著劑至關重要，它須具有良好的黏附性，能夠牢固地將晶片黏合到載體上，同時也需兼顧到其它材料間的熱膨脹、熱傳導係數
| 特 性 | 固 晶 膠 種 類 |
| 1. 導電 | 銀膠、奈米銀膠、錫膏 |
| 2. 絕緣 | 矽膠、環氧樹脂 |
| 3. 固化條件 | 室溫固化、烘烤固化、UV固化 |
| 項 目 | 上 通 電 子 置 晶 能 力 |
| 1. 置晶精度 | ±5μm @ 3Sigma |
| 2. 晶片尺寸 | 0.15mm*0.15mm ~ 200.0mm*100.0mm |
| 3. 下壓力道 | 20 ~ 4,000g |
(2) 共晶 Eutectic die bonding
共晶製程，是將兩個或多個合金材料，在共同的熔點熔化，冷卻凝固後，進而形成一個堅固的鍵合。此製程的優點是，產品會有優良的機械穩定性，且熱傳導的性能好，適用於高功率產品應用，而共晶的作業溫度則會因材料本身的熔點而有所差異。另外一種做法是可搭配預成型焊錫片(Solder Preform)來當鍵合
| 合 金 比 例 | 共 晶 熔 點 |
| 37鉛 : 63錫 | ≈ 185 °C |
| 80金 : 20錫 | ≈ 280 °C |
| 6銀 : 94鉛 | ≈ 304 °C |
| 97金 : 3矽 | ≈ 360 °C |
| 82金 : 18銦 | ≈ 450 °C |
(3) 超音波覆晶 Ultrasonic flip chip bonding
覆晶 (Flip Chip, 簡稱FC)，覆晶技術的名稱來自於將晶片翻轉並與基板背面相連的過程，是一種半導體封裝技術，它用於將晶片連接到封裝基板或基板上
下是覆晶技術的主要特點和優勢：
(1) 空間效率：覆晶技術允許將晶片的主要功能面朝向基板，這樣可以節省寶貴的空間。這使得設計更小型、輕量、更薄的設備成為可能
(2) 高頻性能：由於覆晶技術可以減少電路的電感和電阻，因此它通常用於高頻和高性能應用中，如微波、射頻和高速通信設備
(3) 信號完整性：覆晶技術可以實現更短的連接距離，這有助於提高信號完整性，減少信號延遲和失真，從而提高設備的性能